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碳化硅（HMDS預處理系統）原材料核心優勢
來源:
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作者:雋思半導體設備部
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發布時間: 2023-12-04
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SiC碳化硅（HMDS預處理系統）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
碳化硅原材料核心優勢體現在：
（1）耐高壓：更低的阻抗、更寬的禁帶寬度，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產品設計和更高的效率；
（2）耐高頻：SiC器件在關斷過程中不存在電流拖尾現象，能有效提高元件的開關速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關速度；
（3）耐高溫：SiC相較硅擁有更高的熱導率，能在更高溫度下工作。
相比傳統的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。
碳化硅晶片應用于肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等，主要用于電動汽車、光伏發電、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
半絕緣型碳化硅基射頻器件是通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片后進一步制成，包括HEMT等氮化鎵射頻器件，主要用于5G通信、車載通信、國防應用、數據傳輸、航空航天。
碳化硅晶片HMDS預處理系統性能：
涂布方式：氣相沉積
使用溫度：RT+50-200℃
真空度：≤1torr
設備材質：內箱采用316L醫用不銹鋼
運行方式：一鍵運行，自動完成工藝處理，并有結束提示音
尺寸大小：450*450*450mm
兼容性：2-12寸晶圓及方片等
儲液瓶：HMDS儲液量1000ml
真空泵：進口干式真空泵
數據處理：多個工藝配方存儲，使用數據記錄
保護裝置：低液位報警，HMDS藥液泄漏報警，超溫保護并斷開加熱，漏電保護等
